GaN HEMTs:
8W bis 240W, DC bis 6GHz.
In Entwicklung: 4W und 8W bis 8GHz und Doherty-Designs bis 480W (sh. Bild unten Mitte).
Der Typ CGH21240F hat eine interne Eingangsanpassung für Anwendungen im 2GHz-Bereich. Er ist optimiert für Funksysteme mit hohem Peak-Average-Ratio wie UMTS und LTE. Zwei Transistoren dieses Typs werden im Referenzdesign eines Doherty-Verstärkers mit einer Ausgangsleistung von 480W und 50% Wirkungsgrad eingesetzt (Drain Efficiency bei 80W mittlerer Leistung, 6,5dB PAR). Datenblatt
Der CGH31240F wurde speziell für S-Band Radaranwendungen (2,7 bis 3,1 GHz) entwickelt. Er leistet 240 W PSAT. Datenblatt
Als Vortreiber für den Frequenzbereich bis 6GHz eignet sich der CGH40006P (6W, 11 bis 13 dB Verstärkung). Datenblatt
GaN MMICs:
2W von 20MHz bis 6GHz (Datenblatt) und 25W von 2,5GHz bis 6GHz (Datenblatt), beide jetzt ITAR-frei.
Ein echtes Highlight ist der 50 Ohm MMIC CMPA0060025F mit 25W von 20MHz bis 6GHz und 15 bis 21 dB Verstärkung. Datenblatt
CREE bietet auch Foundry Service für seine SiC- und GaN-Prozesse an.
CREE hat ein Referenzdesign eines Doherty Verstärkers für 2,5GHz bis 2,7GHz mit 8W (mittl. Leistung) in High Frequency Electronics veröffentlicht.
Unter diesem Link können Sie die komplette Ausgabe laden, der Artikel von CREE steht ab Seite 20.
Applikationsnotiz: Thermal Optimization of GaN HEMT Power Amplifiers
Artikel in Microwave Engineering Europe: Advances in high power GaN HEMT transistors
Präsentation: High Efficiency Class-E Amplifier Utilizing GaN HEMT Technology, Ergebnisse bei 2GHz und 3,5GHz
Veröffentlichung in High Frequency Electronics: Doherty Verstärker für 2,1GHz UMTS, (480W) und 870MHz LTE (120W)
